硅負極的能量密度和快充性能遠好于石墨,但是硅負極的膨脹系數大(~300%),且循環壽命低。為了解決硅負極導電性差、膨脹系數高、循環性能差等問題,業內發展了碳包覆技術。以美國Group14 Technologies開發的硅碳負[更多]
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